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最佳回答：
就是指內存…數字指內存是第幾代的…數字越大越新
其他答案1：
http://www.u5nitd0b.cn />這里是百度百科的詳細解釋，在這里我就不班門弄斧了……
其他答案2：
ddr
[編輯本段]釋意一：內存
DDR=Double Data Rate雙倍速內存
嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。
DDR內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍。
什么是 DDR1?
有時候大家將老的存儲技術 DDR 稱為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區分。盡管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。
什么是 DDR2?
DDR2 是 DDR SDRAM 內存的第二代產品。它在 DDR 內存技術的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優良 .
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：
1.突發長度（Burst Length，BL）
由于DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2.尋址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
DDR2內存的頻率
其中 DDR2 的頻率對照表如右圖所示。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據總線的信噪等級。
點對點連接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由于DDR3所采用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是臺式機而是服務器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規格。
5.DDR4
據介紹美國JEDEC將會在不久之后啟動DDR4內存峰會，而這也標志著DDR4標準制定工作的展開。一般認為這樣的會議召開之后新產品將會在3年左右的時間內上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時候使用上DDR4內存，最快也有可能會提前到2010年。
JEDEC表示在7月份于美國召開的存儲器大會MEMCON07SanJose上時就考慮過DDR4內存要盡可能得繼承DDR3內存的規格。使用Single-endedSignaling( 傳統SE信號)信號方式則表示64-bit存儲模塊技術將會得到繼承。不過據說在召開此次的DDR4峰會時，DDR4 內存不僅僅只有Single-endedSignaling方式，大會同時也推出了基于微分信號存儲器標準的DDR4內存。
DDR4規格
因此DDR4內存將會擁有兩種規格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內存其傳輸速率已經被確認為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號技術的DDR4內存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由于通過一個DRAM實現兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內存將會同時存在基于傳統SE信號和微分信號的兩種規格產品。
根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4內存將會是Single-endedSignaling( 傳統SE信號)方式DifferentialSignaling( 差分信號技術 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對此表示了確認。預計這兩個標準將會推出不同的芯片產品，因此在DDR4內存時代我們將會看到兩個互不兼容的內存產品。
6.DDR5
新的繪圖記憶體的承諾，較低的能量消耗量和數據傳輸在6 Gbps的每秒
我們只看到極少數的繪圖卡使用gddr4記憶直至目前為止，但三星已就此案與下一代的gddr5記憶體，并聲稱它的樣本已經發出了向主要的圖形處理器公司。
當然，三星并不是第一家公司開始采樣gddr5的記憶。雙方Hynix和奇夢達還宣布了類似的零件在十一月，但三星的記憶已經進了一步提供了數據傳輸速率6gb/sec ，超過標準5gb/sec 。因此，三星，大膽聲稱它的產品'世界上速度最快的記憶體， '和說，它的'能夠傳輸移動影像及相關數據，在24千兆字節每秒。
以及增加帶寬， gddr5記憶體也比較低功耗的要求，三星公司聲稱其記憶體運作，只是1.5 。
三星是目前采樣512MB的gddr5芯片（ 16 MB × 32 ） ，和mueez迪恩，三星的市場營銷主管繪圖記憶體，他說，該記憶體'將使種圖形硬體的表現將推動軟件開發商提供了一個新臺階眼膨化游戲。不過，我們可能要等待一段時間之前， gddr5成為普遍。三星公司估計，該記憶體將成為'事實上的標準，在頂端表演細分市場'在2010年，當公司說，它將帳戶為' 50 ％以上的高年底PC圖形市場。
LOGO釋意二：跳舞機
DDR是單詞Dance Dance Revolution的縮寫，中文意為熱舞革命。日本柯納米公司首創的跳舞機，國內很多大型的電玩店中都能看到它 的影子。游戲要求配合電子舞曲跳出完美的舞步，所用音樂大都是耳熟能詳的熱門歌曲。
DDR滿足了年輕人強烈的表現欲，而跳舞本來一直是年輕人熱衷的休閑活動，將這兩大因素結合在一起的結果……就是一發不可收拾。DDR大有將游戲機中心變為迪斯科之勢，一改往日以手為主的傳統玩法，整個過程都是用腳來完成，力求在游戲機這個狹小的空間里，體會到和在迪斯科里跳舞一樣的感覺。
●跳舞機于1998年暑假在日本推出，當時臺灣游戲資訊界名人胡龍云剛好受該游戲的制作公司KONAMI（柯納米）邀請赴日。胡覺得這個游戲深具潛力，同時認識到如果該游戲真的引發風潮，勢必帶動社會重新思考大型電子游戲機的真正意義。基于此，胡一回到臺灣即積極與相關業者聯絡引進這種大型電子游戲機———跳舞機。經過一年多的努力，跳舞機在臺灣大行其道。
●看到臺灣在跳舞機大行其道之下所引發的良性的效應，為了持續加溫這股游戲風潮以及改變部分有關單位對大型電玩的先入為主的不良印象，日本KONAMI公司隨后舉行了一次盛大的DDR勁爆熱舞花式大賽。
●1999年4月，DDR從大型機臺移植為家用PS（PlayStation，索尼公司出品的游戲機）版本并開始發行后，不只是一般青少年深深著迷，許多成人甚至演藝界名人也陸續成為DDR的超級玩家，比如張學友、陳小春、吳君如等。
●在日本，基于音樂游戲的風行，游戲研發廠商也立刻跟風推出數款類似的游戲機臺，一度引發日本游戲業界的互控抄襲案件。
●跳舞機的好處之一是女孩子也紛紛加入進來，不少舞林高手是女孩子—— ——跳舞機，不就是動腦子的DISCO嗎?但是，那些比較害羞的玩家，平時對著異性說句話就會臉紅，怎么好意思在大庭廣眾下扭來扭去?好在索尼公司將其移植到PS上，同時推出了配套的舞毯，把游戲場所轉移到家中，想怎么玩就怎么玩。并且跳舞毯多了一項"自設步法”的功能，買回去連上電視屏幕，即能在家里大顯身手。不過，聽說現在許多家庭婦女也想擁有一張如此新忸的玩意，并非趕潮流，而是作減肥之用。跳舞毯面市之后，價位呈直線下降趨勢。
當年我對跳舞機可以說是玩到瘋狂的地步 經常逃課去玩
跳舞機的玩法十分簡單。游戲開始時，聽著音樂，看屏幕畫面的右下方，會不斷出現上、下、左、右的箭頭，只要箭頭移到頂部指定位置，玩家用腳踩對應踏板即可。例如箭頭向左，則踩左方踏板，如此類推地跟著跳，如果踩到踏板和箭頭提示的不一樣，你的能量計（屏幕左上方的紅格部分）就會減少，當能量完全消失就代表你已經"完蛋了”，并且會聽到一些十分難聽的音效。如果你正確地輸入了指令，便能夠得到Perfect”或"Great”的等級，如果這兩個等級連續出現，畫面上將出現"Combo”的字樣，你的分數也會倍增；不過，當"Good”、"Boo”或"Miss”出現的話，你的Combo分值就得重新計算。這游戲的感覺就像真的跳舞那樣，當你隨著節拍跳動的時候，就知道為什么那么多人如此迷戀這個游戲了！
跳舞機有單人玩的，也有雙人玩的，難度可分八級，以適合不同程度的玩家。最簡單的如隨音樂"Have You Ever Been Mellow ”，只需"前、后、前、后、前、左”六個動作便完成。當然，如果你連八級都不在話下了，那么你不妨試一下舞林高手自創的一些花式，比如說玩倒立，整個人頭下腳上，只用手按踏板；或者玩跪地，像跳霹靂舞一樣，改用膝頭撞地；再不就玩轉身，一個人玩"雙打”，通常玩的四個踏板變成了八個，讓你手腳并用，忙得團團轉。DDR基本步
關東步（此步法起源于日本關東）：方法是重心腳或比較不靈活的那只腳總是停留在某個箭頭上，只使用比較靈活的那只腳踩踏板。
優點：命中率奇高，容易得到Combo，而且體力消耗也比較少。
缺點："慣用腳”的疲勞度上升較快，舞姿相對起來也不太優美。
關西步（同理，此步法起源于日本關西）：方法是在單向輸出的時候總有一只腳停留在中心位置，利用小跳躍來增強跳舞時的節奏感。
優點：在音樂節拍慢的時候也能保持較強的節奏感和較高的命中率，舞姿看起來也相當有青春的氣息。
缺點：連續的小跳躍要消耗很多的體力，而在箭頭連續出現的時候容易出現失誤。
自由步：舞步沒有一定的規律，完全按照自己的意愿來進行。
優點：接近真正意義上的"跳舞”，舞姿亦比較華麗；加上是非限制性的步法，重心腳經常變換，所以跳起來的時候是不會太累的。
缺點：除了命中率不高外，下腳的位置選擇不好的話動作可能會比較散亂，其后果輕則引來在場觀眾的倒彩，嚴重者請小心迎面飛來的投擲物。
十字游走：基本上是"關東”的改進型，方法是踩完箭頭的腳停在剛才的箭頭上，用另外一只腳踩下一個箭頭，如此循環下去（關鍵是換腳的時候位置要選擇好）。
優點：很酷的步法，在一些大型游戲中心里的玩家大都使用這種步法；因為這個方法跳起來很有真正"表演”的感覺，而且由于跳躍的動作極少，給人以瀟灑感覺，同時又能夠節省體力（如果熟練了之后，命中率也不差）。
缺點：還是那句："換腳的時候位置要選擇好”，不然的話動作會比較難看。
[編輯本段]釋意三：撥號路由選擇
dial-on-demand routing（DDR）
dial-on demand routing (ddr)是用公共電話網提供了網絡連接。通常的，廣域網大多數使用專線連接的，路由器連接到類似MODEM OR ISDNTAS 的數據終端DCE設備上，他們支持同步V.25BITS協議，你可以用SCRIPTS AND DIALER命令設定撥號串。
DDR比較適用于用戶對數率要求不高，偶爾有數據傳輸或只是在特定時候傳輸數據，比如銀行每晚傳送報表等等情況下。
當一個感興趣的包到達路由器時，產生一個DDR請求，路由器發送呼叫建立信息給指定的串口的DCE設備，這個呼叫就把本地的和遠程的設備連接起來，一旦沒有數據傳輸，空閑時間開始記時，超過設置的記時時間，連接終止。DDR現在都用靜態路由來傳輸數據，避免路由交換引起的DDR撥號。
和XNS可以通過DDR路由尋址，同步串口，異步串口和ISDN端口可以配置成到一個或多個目的地的DDR連接。
下面是一個典型的DDR連接：
在配置DDR過程中，我們可以把一個或幾個物理端口配置成一個邏輯撥號接口，他可以是同步V.25方式，同步DYR啟動撥號或異步CHATSCRIPT方式
在端口配置模式下：
在一個端口激活DIAL-ON-DEMAND ROUTING
命令：dialer in-band
指定一個端口為撥號訪問組：dialer-group group-number
指定一個單一電話號碼：dialer string dialer-string
斷線前空前等待時間：dialer idle-time seconds
定義一個或多個目的電話號碼表：
dialer map protocol net-hop-addre
[編輯本段]釋意四：德意志民主共和國的縮寫
Deutsche Demokratische Republic，DDR
(前)德意志民主共和國（1949年-1990年）（德文：Deutsche Demokratische Republic，DDR），簡稱(前)東德或(前)民主德國，是1949年到1990年之間，存在于今日德國東部的社會主義國家，1990年并入德意志聯邦共和國（西德）。
最佳回答：
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
簡單的說DDR是SDRAM的加強版，性能至少強一倍以上！
DDR3比DDR2的內存性能又至少強一倍以上，且接口也不一樣，功耗，性能，超頻能力都是DDR3內存強大
SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。
其他答案1：
ddr是從sdram上發展過來的。
性能的區別:DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。
DDR2你可以把它比擬成雙車道，DDR3可以比擬成三車道
其他答案2：
DDR3的特點是容量高 前段總頻率一般為1333和1666
其他答案3：
直接在問問向我提問……
最佳回答：
三種規格的內存，卡槽長度是一樣的，但中間的凸點位置不一樣，電壓也不一樣，針腳也不一樣，要是這樣看的話，一邊卡槽邊上都有標記幾代內存，DDR DDRⅡ DDRⅢ的字樣，或者看卡槽中間一般都表有電壓，2.5V的是DDR內存槽，1.8V的是DDR2內存槽，1.5V的是DDR3內存槽，如果就憑中間的凸點位置的話用肉眼不好判斷,數針腳的話也不太現實，180-190針腳數起來很費勁
其他答案1：
卡槽可能類似 但是不能通用
其他答案2：
網上找的，看看。
最佳回答：
DDR2 現在是主流…DDR現在貴…DDR3剛出的?
麻煩采納，謝謝!
其他答案1：
184針（DDR即DDR1）跟240針（DDR2）.即使插混了,也很容易看出來. 有耐心的話數一下^-^ 其實一看就看的出來了,上面標簽也可以參考一下. 有幾個主要區別： 1，DDRI的工作電壓為2.5V，DDRII的工作電壓為1.8v。 2，DDRI的PIN腳為180pin,DDRII的pin腳為220pin 3，DDRI的主頻為266/333/400，DDRII的主頻為400/533/667MHz. DDR1的頻率最高到400，DDR2的最高到800，DDR3的則更高了。三者不同類型的不可以混插，同代產品向下兼容，DDR1的333 和DDR1的400 可以混插，不同代的DDR不能混用。 軟件的話用EVEREST比較準而且全面，能看整個電腦所有的硬件而且可以簡單測試CPU和內存的性能，CPU-Z體積比較小巧但只能測CPU和內存及主板。 補充：最直觀的就是看內存上有一個數據，PC3200 PC4200 PC5300之類的，3200是DDR1 400的，4200是DDR2 533的，5300是DDR2 667的。 DDR2與DDR的區別 與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當于DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。 DDR2與DDR的區別示意圖 與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2內存實現了在每個時鐘周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。 然而，盡管DDR2內存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。 DDR2的定義： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。 此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。 DDR2與DDR的區別： 在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。 1、延遲問題： 從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。 這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。 2、封裝和發熱量： DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。 DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。 DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。 DDR2采用的新技術： 除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。 ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。 Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。 總的來說，DDR2采用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決
最佳回答：
速度在不斷飆升!AMD的AM2接口 K8架構處理器引入最高DDR2 800的支持，而Intel也會在7月23日發布萬眾期待的Conroe處理器并進行史上規模最大的“恐怖襲擊”；桌面PC市場有望在2006年全面進入DDR2 800極速時代。
RD600支持1500Mhz的前端總線超頻，可惜在Computex 2006臺北電腦展上面，RD600似乎“臨時放棄”了DDR3內存的支持，轉為支持DDR2 1066的支持，DDR3內存未能在2006年Q2進入市場。
DDR3相比起DDR2有更高的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
一、DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計：
DDR3
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．采用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。
3．采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
二、DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：
1.突發長度（Burst Length，BL）
由于DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2.尋址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5.參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據總線的信噪等級。
6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由于DDR3所采用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是臺式機而是服務器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規格。這資料太多，慢慢看吧
其他答案1：
簡單的說，DDR3比DDR2好，目前所有新出的電腦是DDR3的。DDR2已經淘汰…..
其他答案2：
是第2代和第3代的意思，就像蘋果4，蘋果5
其他答案3：
通道，ddr3明顯比ddr2好，如果2個同樣內存，還可以交火，效果較好。
最佳回答：
ddr是2.5v ddr2是1.8v ddr3是1.5v左右。
各代內存工作電壓不同主要是因為制程工藝的升級，不同工藝的芯片需要的電壓也不同，制成越先進，需要的電壓越低。列如ddr3內存芯片制成一般是40nm，而ddr2大多是60nm左右。ddr3比ddr2需要的電壓少大約0.3v。因為相同數量的晶體管，制成小的，線路載體小，發熱小，電流損耗小，所需電壓小。所以內存芯片電壓不同。cpu和顯卡等同理。
(原創非復制= =）
其他答案1：
得購買
由于受到國際DRAM價格走勢上漲的影響，DDR400MHz 16Mb上調0.02美元，今天的報價為2.58美元；DDR333MHz 16Mb也攀高0.03美元，今天的報價為2.62美元。加上步入暑期消費旺季，內存市場在上星期開始全面爆漲，主流的512M已突破400大元，上漲幅度最高達到30多元。其中比較受消費者歡迎的kingston 512M DDR400不知不覺的升到410元左右了。盡管近日內存不斷上漲，估計近期內存價格下降的可能性不大，始終“該出手時就要出手”，有購買欲的朋友情快些出手啦！
2、未來主流DDR2及最新價格
INTEL945、955等主流芯片組已經全面推廣DDR2內存，主流的DDR2 533在新能上還未能超越DDR400，甚至某些方面比DDR400更落后。其原因在于DDR2先天的硬傷—內存CAS延遲時間（CAS Latency），DDR2的CAS延遲時間通常設定為3、4、5，和DDR內存的2、2.5、3相比要慢一些。在這樣的前提下最優化時序的DDR2 SDRAM內存模組比同樣優化的同頻率DDR SDRAM內存模組比較會在內存帶寬上處于劣勢，而這樣的情況在目前800FSB的P4 CPU平臺上會比較普遍，因此Intel在桌面芯片組上選擇了DDR2-533的設定將內存異步于CPU以改善性能。當DDR2被應用在DDR無法達到的高頻率并和未來高FSB CPU配合使用時，這種相對的劣勢才能得以消除，所以未來正式主流的DDR2內存頻率應該是800多者更高。不過往往最初推出的新規格內存，并不代表內存的真實性能，往往改進過后的產品，才能充分發揮產品的性能。現在的DDR2 533好比是當年的DDR 266或者是SD-RAM時代的PC100，未來DDR2 800或者更高規格的廣泛推出市場的時候，才能真正取代DDR400。不知道是不是由于受到AMD告INTEL壟斷的緣故，加上生產工藝的不斷提高，生產成本有所降低，促使DRAM生產商擁有降低DDR2顆粒的售價，6月中旬，市面上的DDR2 533內存條已經比幾個月前消費者不能接受的天價降低了許多，價格甚至可以和中高檔的DDR內存對砍。這消息無疑是對消費者的一個利好消息，現在INTEL采用支持DDR2內存芯片組的主板已賣得很便宜，拼裝采用DDR2內存平臺的機器并不比一般普通采用DDR內存的機器要貴，DDR2再也不是極少數硬件發燒友。到截稿為止，現時多數品牌的DDR2 512M內存條通常在500左右的價位，三星金條DDR2 400報500元，A-DARA Vitesta DDRII533紅色威龍內存條報價為495，宇瞻的DDR2 報580元。而最超值實惠的是南亞elixir DDR2 533 512M報399，突破了400元的心理消費價格，對于其他品牌有一定的價格競爭優勢。而且售后服務還不錯，提供一年包換三年保修的服務，而同規格的265M只售199元。
二、消費指南Q/A（問與答）
Q1:多少內存才夠用？
A1:內存多大才夠用，當然韓信點兵,多多益善。是從現在使用環境來看，256M容量肯定不夠用，現在WINDOWS XP后臺加載的任務加上常用軟件后臺（如防火墻）等起碼占用130M以上，給用戶使用的內存已少得可憐，導致會降低系統性能。512M肯定是最基本的要求，可以滿足現在的基本需要。不過筆者覺得如果金錢比較寬裕，可以考慮購買1G容量，畢竟，現在的軟件對內存容量的要求越來越高，1G容量并不過分。購買兩條512M組成雙通道平臺，價格大約需要800元，并是奢侈的東西。擁有1G物理內存，建議大家關閉WINDOWS的虛擬內存管理，對于系統性能會有很大的提高，畢竟內存比硬盤的讀寫速度快多了。
Q2:為什么一般的內存賣得那么便宜，為什么一些高檔的內存那些要貴很多，他們有什么區別？是否值得購買？
A2:CPU、顯示卡有分低中高檔次，內存也一樣。高檔的內存一般是針對追求高性能或者是超頻的用戶設計，價格也比一般的內存要貴很多，可能購買512M普通內存的價錢才能買到256M的超頻內存。超頻玩家會使用比標準外頻更高的非標準頻率，在這時候內存的頻率也會同樣提高。正所謂好馬需要配好鞍，高檔內存采用高檔的內存顆粒（如著名的三星TCCD）他們的頻率、時序和工作參數比一般的內存要高很多，例如在DDR500這樣高的頻率下也可以運行在2-2-2-8（不明白是什么意思，請看下一段的注解）這么高的時序。高檔內存正好滿足了可以需要，為系統提供一個穩定的工作環境。這無疑是超頻玩家的福音。對于普通用戶來說，一般的內存只要可以提供優良的兼容性、穩定的工作環境已足夠，每必要浪費過多的金錢。
其實電腦是一個更新、淘汰非常快的產品，對于購買最好還是到電腦城里去咨詢，根據個人的需要來進行配置，并不是夏季買什么機型冬季買的機型，沒有那一說，等你買了電腦，我來給你介紹一下夏季電腦的保養與維修小常識：
一般來說，計算機在正常工作時發出的聲音很小，除了硬盤讀寫數據發出的聲音外，主要是散熱風扇發出的聲音，其中尤以開關電源風扇發出的聲音最大。有的開關電源長期使用后，在工作時會產生一些噪聲，主要是由于電源風扇轉動不暢造成的。引起電源風扇轉動不暢發出噪聲的原因很多，主要集中在以下幾個方面:
–風扇電機軸承接套產生軸向偏差，造成風扇風葉被卡住或擦邊，發出"突突"的聲音。
–風扇電機軸承松動，使得葉片在旋轉時發出"嗡嗡"的聲音。
–風扇電機軸向竄動，由于墊片的磨損，軸向空隙增大，加電后發出"突突"的聲音。
–風扇電機軸承中使用了劣質潤滑油，在環境溫度較低時容易跟進入風扇軸承的灰塵凝結在一起，增加了電機轉動的阻力，使電機發出"嗡嗡"的聲音。
如果風扇工作不正常，時間長了就有可能燒毀電機，造成整個開關電源的損壞。針對以上電源風扇發出聲音的原因，平時需要進行如下維護保養工作。
電源盒是最容易集結灰塵的地方，如果電源風扇發出的聲音較大，一般每隔半年把風扇拆下來，清洗一下積塵和加點潤滑油，進行簡單維護。由于電源風扇是封在電源盒內，拆卸不太方便，所以一定要注意操作方法。
(1)拆風扇
先斷開主機電源，拔下電源背后的輸入、輸出線插頭。然后再拔下與電源連接的所有配件的插頭和連線，卸下電源盒的固定螺絲，取出電源盒。觀察電源盒外觀結構，合理準確地卸下螺絲，取下外罩。取外罩時要把電線同時從缺口處撬出來。卸下固定風扇的四個螺絲，取出風扇，可以暫不焊下兩根電源線。
(2)清洗積塵
用紙板隔離好電源電路板與風扇后，可用小毛刷或濕布擦拭積塵，擦拭干凈即可。也可以使用皮老虎吹風扇風葉和軸承中的積塵。
(3)加潤滑油
撕開不干膠標簽，用尖嘴鉗挑出橡膠密封片。找到電機軸承，一邊加潤滑油，一邊用手撥動風扇時，使潤滑油沿著軸承均勻流入，一般加幾滴即可。要注意滾珠軸承的風扇是否有兩個軸承，別忽略了給進風面的軸承上油，上油不要只上在主軸上。
潤滑油一定要使用計算機專用潤滑油或高級輕質縫紉機油，千萬不可用一般汽車上使用的潤滑油。最后裝上橡膠密封片，貼上標簽。
(4)加墊片
如果風扇發出的是較大的"突突"噪聲，一般光清洗積塵和加潤滑油是不能解決問題的，這時拆開風扇后會發現扇葉在軸向滑動距離較大。取出橡膠密封片后，用尖嘴鉗分開軸上的卡環，下面是墊片，此時可取出風扇轉子(與扇葉連成一行)，以原墊片為標準，用厚度適中的薄塑料片制成一個墊片。把制作好的墊片放入原有的墊片之間，注意墊片不要太厚，軸向要保持一定的距離。用手撥動葉片，風扇轉動順暢就可以了。最后裝上卡環、橡膠密封片，貼上標簽。記住主軸上的墊片、橡膠密封片、彈簧等小零件，以免散落后不知如何復位。
總之，電源是計算機工作的動力，如果電源風扇出了故障，引發的后果是嚴重的，因此要定期地對電源進行維護和保養。
另據數據表明，由電源造成的故障約占計算機整機各類部件總故障數的20%~30%。而對主機各個部分的故障檢測和維修，也必須建立在電源供應正常的基礎上。下面我們對電源的常見故障做一些討論。
微機電源一般容易出的故障有以下幾種:保險絲熔斷、電源無輸中或輸出電壓不穩定、電源有輸出但開機無顯示、電源負載能力差。下面分別介紹其檢修方法:
1.保險絲熔斷故障分析與排除
出現此類故障時，先打開電源外殼，檢查電源上的保險絲是否熔斷，據此可以初步確定逆變電路是否發生了故障。若是，則不外如下三種情況造成:輸入回路中某個橋式整流二極管被擊穿;高壓濾波電解電容C5、C6被擊穿·逆變功率開關管Ql、Q2損壞。
其主要原因是因為直流濾波及變換振蕩電路長時間工作在高壓(十300V)、大電流狀態，特別是由于交流電壓變化較大、輸出負載較重時，易出現保險絲熔斷的故障。直流濾波電路由四只整流二極管、兩只100kΩ左右限流電阻和兩只330uF左右的電解電容組成;變換振蕩電路則主要由裝在同一散熱片上的兩只型號相同的大功率開關管組成。
交流保險絲熔斷后，關機拔掉電源插頭，首先仔細觀察電路板上各高壓元件的外表是否有被擊穿燒糊或電解液溢出的痕跡。若無異常，用萬用表測量輸入端的值:若小于2OOkΩ，說明后端有局部短路現象，再分別測量兩個大功率開關管e、c極間的阻值;若小于100kΩ，則說明開關管已損壞，測量四只整流二極管正、反向電阻和兩個限流電阻的阻值，用萬用表測量其充放電情況以判定是否正常。另外在更換開關管時，如果無法找到同型號產品而選擇代用品時，應注意集電極-發射極反向擊穿電壓Vceo、集電極最大允許耗散功率Pcm、集電極-基極反向擊穿電壓Vcbo的參數應大于或等于原晶體管的參數。再一個要注意的是:切不可在查出某元件損壞時，更換后便直接開機，這樣很可能由于其它高壓元件仍有故障，又將更換的元件損壞。一定要對上述電路的所有高壓元件進行全面檢查測量后，才能徹底排除保險絲熔斷故障。
2.無直流電壓輸出或電壓輸出不穩定
若保險絲完好，在有負載情況下，各級直流電壓無輸出，其可能原因有:電源中出現開路、短路現象;過壓、過流保護電路出現故障;振蕩電路沒有工作;電源負載過重;高頻整流濾電路中整流二極管被擊穿;濾波電容漏電等。
處理方法為;用萬用表測量系統板十5V電源的對地電阻，若大于0.8Ω，則說明系統板無短路現象。將微機配置改為最小化，即機器中只留主板、電源、蜂鳴器，測量各輸出端的直流電壓，若仍無輸出，說明故障出在微機電源的控制電路中。控制電路主要由集成開關電源控制器(TL-496、GS3424等)和過壓保護電路組成，控制電路工作是否正常直接關系到直流電壓有無輸出。過壓保護電路主要由小功率三極管或可控硅及相關元件組成，可用萬用表測量該三極管是否被擊穿(若是可控硅則需焊下測量)，相關電阻及電容是否損壞。
3.電源有輸出，但開機無顯示
出現此故障的可能原因是"POWER GOOD"輸入的Reset信號延遲時間不夠，或"POWER GOOD"無輸出。
開機后，用電壓表測量"POWER GOOD"的輸出端(接主機電源插頭的1腳)，如果無+5V輸出，再檢查延時元器件;若有+5V輸出，則更換延時電路的延時電容即可。
4.電源負載能力差
電源在只向主板、軟驅供電時能正常工作，當接上硬盤、光驅或插上內存條后，屏幕變自而不能正常工作。其可能原因有:晶體管工作點未選擇好，高壓濾波電容漏電或損壞，穩壓二極管發熱漏電，整流二極管損壞等。
調換振蕩回路中各晶體管，使其增益提高，或調大晶體管的工作點。用萬用表檢測出有問題的部件后，更換可控硅、穩壓二極管、高壓濾波電容或整流二極管即可。
其他答案2：
標稱電壓
ddr 2.4v -2.5
二代 1.8v-1.9
三代 1.4v-1.5
因為內存容量越大，里面的集成的晶體管就越多，必然要 密集度變大，單位晶體管就小了，抗電壓能力也就小了，另外從功耗方面也是一樣（容量大-晶體管多-功耗大），電壓低可以減少功耗，另外技術的提高，可以在低電壓保證信號質量，
我認為（壞了別找我） 為了超頻或增加穩定性，內存 一般 比標稱電壓高 0.2是絕對安全的，在高就要看內存顆粒，耐壓有的高些有的低些。 一般顆粒大的耐壓普遍好些。
其他答案3：
工作電壓分別是 2.5V ，1.8V， 1.5V ，為什么會有這種變化，只要是因為技術水平的提高，為了更好的降低功耗！
最佳回答：
因為DDR3內存現在是主流，DDR2是屬于停產的產品，沒貨就貴了，DDR1是停產更舊的產品，更加舊，就更加貴，物以稀為貴
其他答案1：
提高DDR2的價錢 是為了讓人們使用DDR3…這樣人們裝機就會考慮到價錢因素…當內存更新換代的時候..就是瘋狂漲價的時候…去年夏天2G DDR2 300 2G DDR3 270..我那時候買了4G DDR3…現在虧的吐血…
最佳回答：
足夠的話，只是對個人用途而言，玩游戲當然越大越好，只是打字的話，DDR1就足夠，頻率也關系質量，但都不同等代的產品，頻率或多或少，沒有多大差距的問題，都能用，這種就是看著人民幣而設定的
最佳回答：
不是的。假如頻率一樣，不考慮延時的話，理論上DDR2和DDR3性能是完全一樣的。如果考慮延時的問題，DDR3會比DDR2要慢。
內存有3個頻率：內核頻率、I/O物理時鐘頻率和等效時鐘頻率。
假設我們現在有兩根內存，一根是DDR2-800，另一根是DDR3-800（估且假設是用我的KST PC1333降頻下來的吧，呵~），我們來弄清楚它們各種頻率和預讀取位數之間的關系。
首先，800MHz指的是什么頻率？是I/O等效時鐘頻率，相信這一點大家都無異義。
那么接下來，再來看物理時鐘頻率。DDR2、DDR3和DDR一樣，都是延數據的上行與下行各傳輸一次數據，那么I/O物理時鐘頻率應當為800/2=400MHz。
接下來再來看被人最少提及的內核時鐘頻率。內核頻率是顯存顆粒真正的工作頻率。并且，內核頻率=物理頻率/預讀取位數。在弄清內核時鐘頻率之前，先了解一下預讀取。預讀取指一個時鐘周期內，內存可以從邏輯BANK中讀取多少位的數據。DDR是2位，DDR2是4位，DDR3是8位。換句話說，假如讀出相同的數據量，DDR3的內核頻率只需要是DDR2的一半。那么，DDR3的內核頻率就變成400/8=50MHz，而DDR2則是400/4=100MHz。
OK，這樣就應該知道DDR2和DDR3的區別了。
DDR2：內核頻率100MHz，預讀取位數4位，物理I/O頻率是100*4=400MHz，有效頻率是400*2=800MHz。
DDR3：內核頻率50MHz，預讀取位數8位，物理I/O頻率是50*8=400MHz，有效頻率是400*2=800MHz。
看看，DDR3內核頻率這么低，實在是非常浪費的事。試試把它也做到100MHz看吧，于是，DDR3的頻率就變成1600MHz。這樣一來，DDR3-1600的性能不就是DDR2-800的兩倍了么~~
那么對于DDR3-1333又是怎樣？內核頻率就變成1333/2/8=83MHz，還是比DDR2-800的內核頻率要低，芯片即然降了頻，那么內存電壓也沒必要做那么高了，也降一點，發熱也降一點好了…
OK，最后講一點延時，因為延時有很多種，比如像TRCD、TRP、TRAS、CAS等等等等（可能有十來種，一般主板BIOS里可以給你調的通常只有5、6種），就不一一解釋了（其實我也記不清）。存內存諸數據，就像是二維表格（你可以認為是EXCEL表）。一根內存可能有一個到多個EXCEL表，我要從中內存中讀取數據的話，先要找到存放這個數據的EXCEL表，然后再找到存儲這個數據的行和列。那么實際上，內存讀寫器找到這個表格需要一定的時間，打開表格之后，讀寫器定位到這個行，需要時間，定位到這個列，也需要時間。像定位到表所需要的時間，就是一種延時，定位到行所需要的時間也是一種延時、定位到列也是種延時。再細分一點情況，可能讀寫頭正好停在相臨的一列上，只要稍微挪那么一點就能找到數據，那么又是種延時。讀寫頭停在不同的EXCEL里，要從表A轉到表B，又是種延時…當然，這里EXCEL表不叫EXCEL表，而叫做邏輯BANK，EXCEL的單元格叫做CELL，每個CELL能存放的數據量叫做數據深度…
OK，不管那么多復雜的術語了。來看看真實的情況。DDR2相對于DDR，預讀取位數增加了，但很遺憾，延時也增加了。不講為什么了，因為詳情可以baidu得到。DDR3相對于DDR2，不好意思，延時又增加了…所以DDR3和DDR2頻率一樣的話，DDR3就會比DDR2要慢。
其他答案1：
恩不過理論上的東西沒意義。實際只能快不到30%.
其他答案2：
不是
理論并不等于事實，至少我家的DDR3 4G 和 DDR2 4G 絕對不是兩倍的關系
至少說，快是快了，但不可能是快兩倍這么快，硬件市場天天更新，你總不能指望一次2倍這么個快法子吧！
至于說DDR2 DDR 之間的關系，那是有兩倍了，當然要在同頻率、同規格的前提下比較 而SD卡本身并不是跟ddr內存同一級別的產品，相互比較已經失去了意義（如今沒有人再用sdram了）
其他答案3：
玩游戲的時候可以體驗出不同，其他沒有什么感覺
